Extending the FETs: Challenges and Opportunities for New Materials and Structures
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High-Performance Photonic BiCMOS: Next Generation More-than-Moore Technology for the Large Bandwidth Era
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Towards 0.7 Terahertz Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Technology: The DOTSEVEN Project
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R.A. Camillo Castillo, Q.Z. Liu, V. Jain, J.W. Adkisson, M. H. Khater, P. Gray, J.J. Pekarik, R. Malladi, D.L. Harame
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Detection of Ge and Si Intermixing in Ge/Si Using Multiwavelength Micro-Raman Spectroscopy
W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, C.S. Tan
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Si Ultrathin Films on Silver Surfaces: An Intriguing Epitaxial System
T. Leoni, R. Bernard, A. Ranguis, Y. Borensztein, G. Prévot, L. Masson
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Ni(SiGeSn) Metal Contact Formation on Low Bandgap Strained (Si)Ge(Sn) Semiconductors
S. Wirths, R. Troitsch, G. Mussler, P. Zaumseil, J.M. Hartmann, T. Schroeder, S. Mantl, Dan Buca
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UV excimer laser assisted heteroepitaxy of (Si)GeSn on Si(100)
Stefano Chiussi, Stefan Stefanov, Alessandro Benedetti, Carmen Serra Rodríguez, Dan Buca, Jörg Schulze, Pío Manuel González Fernández
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J.O. Borland, M. Sugitani, P. Oesterlin, W. Johnson, T. Buyuklimanli, R. Hengstebeck, E. Kennon, K.S. Jones, A. Joshi
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Challenges and Developments in GeSn Process Technology for Si Nanoelectronics
S. Zaima, O. Nakatsuka, N. Taoka, K. Kato, W. Takeuchi, M. Sakashita
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Silicon Diffusion Engineering in Rapid Melt Growth of Silicon-Germanium on Insulator
C.G. Littlejohns, F.Y. Gardes, M. Nedeljkovic, G.Z. Mashanovich, G.T. Reed
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A.K. Swarnakar, Omer Van der Biest, Jan Van Humbeeck, J. Vanhellemont
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Q.Z. Liu, J.W. Adkisson, V. Jain, R.A. Camillo Castillo, M. H. Khater, P.B. Gray, J.J. Pekarik, B. Zetterlund, A.W. Divergilio, M.L. Kerbaugh, D.L. Harame
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Silicon Germanium FinFET Device Physics, Process Integration and Modeling Considerations
D. Lu, P. Morin, B. Sahu, T.B. Hook, P. Hashemi, A. Scholze, B. Kim, P. Kerber, A. Khakifirooz, P. Oldiges, K. Rim, B. Doris
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Mobility Enhancement of Uniaxially Strained Germanium Nanowire MOSFETs
K. Ikeda, Y. Kamimuta, Y. Moriyama, M. Ono, K. Usuda, M. Oda, T. Irisawa, D. Kosemura, A. Ogura, T. Tezuka
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Highly-Doped, Highly-Strained Germanium and Schottky Electroluminescent Diodes
M. El Kurdi, M. Prost, A. Ghrib, Xavier Checoury, S. Sauvage, N. Zerounian, F. Aniel, G. Beaudoin, I. Sagnes, V. Le Thanh, T.P.K. Luong, M. Chaigneau, R. Ossikovski, C. Baudot, F. Boeuf, P. Boucaud
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Photoluminescence Study of Si Quantum Dots with Ge Core
K. Makihara, K. Kondo, M. M. Ikeda, A. Ohta, S. Miyazaki
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Franz-Keldysh Effect in GeSn Detectors
S. Bechler, M. Oehme, O. Latzel, M. Schmid, K. Kostecki, R. Koerner, M. Gollhofer, E. Kasper, Jörg Schulze
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