Pre-Amorphization and Low-Temperature Implantation for Efficient Activation of Implanted As in Ge(100)

• H. Murakami ^[1] ; S. Hamada ^[1] ; T. Ono ^[1] ; K. Hashimoto ^[1] ; A. Ohta ^[2] ; H. Hanafusa ^[1] ; S. Higashi ^[1] ; S. Miyazaki ^[2]
  1. [1] Hiroshima University

     Hiroshima University

     Naka-ku, Japón

     
  2. [2] Nagoya University

     Nagoya University

     Naka-ku, Japón

     
• Localización: SiGe and Ge: materials, processing, and devices / D. Harane (dir. congr.), 2006, ISBN 978-1-62332-186-4, págs. 423-430
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)