Highly-Doped, Highly-Strained Germanium and Schottky Electroluminescent Diodes

• M. El Kurdi ^[1] ; M. Prost ^[1] ; A. Ghrib ^[1] ; X. Checoury ^[1] ; S. Sauvage ^[1] ; N. Zerounian ^[1] ; F. Aniel ^[1] ; G. Beaudoin ^[4] ; I. Sagnes ^[4] ; V. Le Thanh ^[2] ; T.P.K. Luong ^[3] ; M. Chaigneau ^[5] ; R. Ossikovski ^[5] ; C. Baudot ^[6] ; F. Boeuf ^[6] ; P. Boucaud ^[1]
  1. [1] University of Paris-Sud

     University of Paris-Sud

     Arrondissement de Palaiseau, Francia

     
  2. [2] Aix-Marseille University

     Aix-Marseille University

     Arrondissement de Marseille, Francia

     
  3. [3] Hồng Đức University

     Hồng Đức University

     Vietnam

     
  4. [4] CNRS
  5. [5] CNRS-Ecole polytechnique
  6. [6] STMicroelectronics

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• Localización: SiGe and Ge: materials, processing, and devices / D. Harane (dir. congr.), 2006, ISBN 978-1-62332-186-4, págs. 359-364
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)