Characterization of Chemical Bonding Features and Interfacial Reactions in Ge-MIS Structure with HfO2/TaGexOy Dielectric Stack

• A. Ohta ^[1] ; H. Murakami ; H. Murakami ^[2] ; K. Hashimoto ^[2] ; K. Makihara ^[1] ; S. Miyazaki ^[1]
  1. [1] Nagoya University

     Nagoya University

     Naka-ku, Japón

     
  2. [2] Hiroshima University

     Hiroshima University

     Naka-ku, Japón

     
• Localización: SiGe and Ge: materials, processing, and devices / D. Harane (dir. congr.), 2006, ISBN 978-1-62332-186-4, págs. 241-248
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)