Challenges and Developments in GeSn Process Technology for Si Nanoelectronics

• S. Zaima ^[1] ; O. Nakatsuka ^[1] ; N. Taoka ^[1] ; K. Kato ^[1] ; W. Takeuchi ^[1] ; M. Sakashita ^[1]
  1. [1] Nagoya University

     Nagoya University

     Naka-ku, Japón

     
• Localización: SiGe and Ge: materials, processing, and devices / D. Harane (dir. congr.), 2006, ISBN 978-1-62332-186-4, págs. 147-154
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)