T. Grasser

• Artículos de revistas (10)

• Artículos de revistas

  • Identification of oxide defects in semiconductor devices: A systematic approach linking DFT to rate equations and experimental evidence

    W. Goes, Y. Wimmer, A. Mounir EL Sayed, G. Rzepa, M. Jech, Alexander L. Shluger, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 87, 2018, págs. 286-320

    • Resumen
    

  • Comphy — A compact-physics framework for unified modeling of BTI

    G. Rzepa, J. Franco, B. O’Sullivan, A. Subirats, M. Simicic, Geert Hellings, P. Weckx, M. Jech, T. Knobloch, M. Waltl, P.J. Roussel, D. Linten, B. Kaczer, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 85, 2018, págs. 49-65

    • Resumen
    

  • A brief overview of gate oxide defect properties and their relation to MOSFET instabilities and device and circuit time-dependent variability

    B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, Ph.J. Roussel, V. Putcha, E. Bury, M. Simicic, A. Chasin, D. Linten, B. Parvais, F. Catthoor, G. Rzepa, M. Waltl, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 186-194

    • Resumen
    

  • Controversial issues in negative bias temperature instability

    J.H. Stathis, Souvik Mahapatra, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 244-251

    • Resumen
    

  • Impact of O�Si�O bond angle fluctuations on the Si�O bond-breakage rate.

    S. Tyaginov, V. Sverdlov, I. Starkov, W. Gös, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 998-1002

    

  • On the temperature and voltage dependence of short-term negative bias temperature stress.

    PH. Hehenberger, P.-J. Wagner, H. Reisinger, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1013-1017

    

  • On the temperature dependence of NBTI recovery.

    Thomas Aichinger, M. Nelhiebel, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1178-1184

    

  • Comparison of deposition models for a TEOS LPCVD process.

    S. Holzer, A. Sheikholeslami, M. Karner, T. Grasser, S. Selberherr

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 623-625

    

  • Negative bias temperature instability modeling for high-voltage oxides at different stress temperatures.

    R. Entner, T. Grasser, O. Triebl, H. Enichlmair, R. Minixhofer

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 697-699

    

  • VSP ¿ A gate stack analyzer.

    M. Karner, A. Gehring, M. Wagner, R. Entner, S. Holzer, W. Goes, M. Vasicek, T. Grasser, H. Kosina, S. Selberherr

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 704-708

    

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