Ph.J. Roussel

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• Artículos de revistas

  • A brief overview of gate oxide defect properties and their relation to MOSFET instabilities and device and circuit time-dependent variability

    B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, Ph.J. Roussel, V. Putcha, E. Bury, M. Simicic, A. Chasin, D. Linten, B. Parvais, F. Catthoor, G. Rzepa, M. Waltl, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 186-194

    • Resumen
    

  • LER and spacing variability on BEOL TDDB using E-field mapping: Impact of field acceleration

    D. Kocaay, Ph.J. Roussel, K. Croes, Ivan Ciofi, Y. Saad, I. De Wolf

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 131-135

    • Resumen
    

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