Impact of O�Si�O bond angle fluctuations on the Si�O bond-breakage rate.

• Autores: S. Tyaginov, V. Sverdlov, I. Starkov, W. Gös, T. Grasser
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 998-1002
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)