B. Kaczer

• Artículos de revistas (5)

• Artículos de revistas

  • Comphy — A compact-physics framework for unified modeling of BTI

    G. Rzepa, J. Franco, B. O’Sullivan, A. Subirats, M. Simicic, Geert Hellings, P. Weckx, M. Jech, T. Knobloch, M. Waltl, P.J. Roussel, D. Linten, B. Kaczer, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 85, 2018, págs. 49-65

    • Resumen
    

  • A brief overview of gate oxide defect properties and their relation to MOSFET instabilities and device and circuit time-dependent variability

    B. Kaczer, J. Franco, P. Weckx, Ph.J. Roussel, V. Putcha, E. Bury, M. Simicic, A. Chasin, D. Linten, B. Parvais, F. Catthoor, G. Rzepa, M. Waltl, T. Grasser

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 186-194

    • Resumen
    

  • A CMOS circuit for evaluating the NBTI over a wide frequency range.

    R. Fernández-García, B. Kaczer, G. Groeseneken

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 8, 2009, págs. 885-891

    

  • NBTI reliability of Ni FUSI/HfSiON gates: Effect of silicide phase.

    A. Shickova, B. Kaczer, A. Veloso, M. Aoulaiche, M. Houssa, H. Maes, G. Groeseneken, J.A. Kittl

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 505-507

    

  • Gate oxide breakdown in FET devices and circuits: From nanoscale physics to system-level reliability.

    B. Kaczer, R. Degraeve, Ph. Roussel, G. Groeseneken

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 559-566

    

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