Periodo de publicación recogido
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Controversial issues in negative bias temperature instability
J.H. Stathis, Souvik Mahapatra, T. Grasser
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 81, 2018, págs. 244-251
Impacts of NBTI and PBTI on SRAM static/dynamic noise margins and cell failure probability.
A. Bansal, Rajesh A. Rao, J.-J. Kim, S. Zafar, J.H. Stathis, C.-T. Chuang
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 6, 2009, págs. 642-649
A novel approach to characterization of progressive breakdown in high-k/metal gate stacks.
R. Pagano, S. Lombardo, F. Palumbo, P. Kirsch, S.A. Krishnan, C. Young, R. Choi, G. Bersuker, J.H. Stathis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1759-1764
E. Amat, Rosana Rodríguez Martínez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, J.H. Stathis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 544-547
J. Martin-Martinez, R. Rodríguez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, J.H. Stathis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 665-668
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