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Reversible dielectric breakdown in ultrathin Hf based high-k stacks under current-limited stresses.
Albert Crespo Yepes, J. Martin-Martinez, R. Rodriguez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1024-1028
M. Lanza, M. Porti, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, G. Ghidini, A. Sebastiani
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1188-1191
Nanometer-scale leakage measurements in high vacuum on de-processed high-k capacitors.
W. Polspoel, W. Vandervorst, L. Aguilera, M. Porti, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1521-1524
Lifetime estimation of analog circuits from the electrical characteristics of stressed MOSFETs.
J. Martin-Martinez, S. Gerardin, R. Rodríguez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, A. Cester, A. Paccagnella, G. Ghidini
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1349-1352
E. Amat, Rosana Rodríguez Martínez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, J.H. Stathis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 544-547
Effect of oxide breakdown on RS latches.
R. Fernandez, R. Rodríguez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 581-584
J. Martin-Martinez, R. Rodríguez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, J.H. Stathis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 665-668
Use of fuzzy techniques for detection of multiple sclerosis small lesions
Xavier Aymerich Humet, Pilar Sobrevilla, Jaume Gili, Eduard Montseny Masip
Mathware & soft computing: The Magazine of the European Society for Fuzzy Logic and Technology, ISSN-e 1134-5632, Vol. 5, Nº. 2-3, 1998, págs. 355-363
Modeling of time-dependent variability caused by Bias Temperature Instability
J. Martin Martinez, Manuel Moras, N. Ayala, Vikas Velayudhan, R. Rodriguez, M. Nafria, Xavier Aymerich Humet
Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665
Nanoscale morphology of graphene on different substrates
M. Lanza, Y. Y. Wang, H. Duan, Marc Porti i Pujal, Montserrat Nafria i Maqueda, A. Bayerl, Xavier Aymerich Humet, T. Gao, Z. Liu, Y. Zhang, H. Liang, G. Jing
Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665
A. Crespo Yepes, J. Martin Martinez, V. Iglesias, R. Rodriguez, M. Porti, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, M. Lanza
Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665
Caracterización de la rugosidad de capas delgadas de SiO₂ a partir de un modelo local de crecimiento
Jorge Francisco Suñe Tarruella, I. Placencia, Francesca Campabadal Segura, Xavier Aymerich Humet
XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987 / Real Sociedad Española de Física (aut.), 1987, págs. 37-38
Influencia de la rugosidad del SiO₂ sobre la característica de corriente tunel Fowler-Nordheim
I. Placencia, Jorge Francisco Suñe Tarruella, Francesca Campabadal Segura, Xavier Aymerich Humet
XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987 / Real Sociedad Española de Física (aut.), 1987, págs. 39-40
Análisis de la espectroscopia túnel resonante en diodos MIM
Xavier Aymerich Humet, Francesc Serra Mestres, J. Millán
III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 104-110
Influencia de las corrientes de generación-recombinación en la conmutación del dispositivo MISS
J. Millán, Francesc Serra Mestres, Xavier Aymerich Humet
III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 111-119
Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I: ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM
Tesis doctoral dirigida por Montserrat Nafria i Maqueda (dir. tes.), Xavier Aymerich Humet (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2003).
Model de degradacio per a la ruptura dielectrica del sio2
Tesis doctoral dirigida por Xavier Aymerich Humet (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (1993).
Analisis de la ruptura dielectrica del sio2 para la simulacion de fiabilidad
Tesis doctoral dirigida por Xavier Aymerich Humet (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (1993).
Tesis doctoral dirigida por Xavier Aymerich Humet (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (1993).
Transporte y atrapamiento de carga en capas oxido-nitruro: caracterizacion en dispositivos de memoria mnos"
Tesis doctoral dirigida por Xavier Aymerich Humet (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (1992).
Formalismos fisicos para la microscopia de efecto tunel. Aplicacion de un stm atmosferico en microelectronica: caracterizacion de si y de estructura mos
Tesis doctoral dirigida por Xavier Aymerich Humet (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (1992).
Caracterizacion del transporte electronico en sio2 por metodo de monte carlo
Tesis doctoral dirigida por Xavier Aymerich Humet (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (1991).
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