A novel approach to characterization of progressive breakdown in high-k/metal gate stacks.

• Autores: R. Pagano, S. Lombardo, F. Palumbo, P. Kirsch, S.A. Krishnan, C. Young, R. Choi, G. Bersuker, J.H. Stathis
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1759-1764
• Idioma: inglés
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