Periodo de publicación recogido
|
|
|
A novel approach to characterization of progressive breakdown in high-k/metal gate stacks.
R. Pagano, S. Lombardo, F. Palumbo, P. Kirsch, S.A. Krishnan, C. Young, R. Choi, G. Bersuker, J.H. Stathis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1759-1764
Study of nanocrystal memory integration in a Flash-like NOR device.
C. Gerardi, S. Lombardo, G. Ammendola, G. Costa, V. Ancarani, D. Mello, S. Giuffrida, M.C. Plantamura
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 593-597
Defects induced anomalous breakdown kinetics in Pr2O3 by micro- and nano-characterization.
P. Fiorenza, R. Lo Nigro, V. Raineri, S. Lombardo, R.G. Toro, G. Malandrino, I.L. Fragalà
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 640-644
Measurement of the hot carrier damage profile in LDMOS devices stressed at high drain voltage.
D. Corso, S. Aurite, E. Sciacca, D. Naso, S. Lombardo, A. Santangelo, M.C. Nicotra, S. Cascino
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 806-809
Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados