Worn-out oxide MOSFET characteristics: Role of gate current and device parameters on a current mirror.

• Autores: J. Martin-Martinez, R. Rodríguez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, J.H. Stathis
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 665-668
• Idioma: inglés
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