Aplicacio de la microscopia d'efecte tunel a l'analisi i modificacio nanometrica de superficies de si (100)

• Autores: Francesc Pérez Murano
• Directores de la Tesis: Xavier Aymerich Humet (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1993
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (presid.), Atilà Herms Berenguer (secret.), Artur Baro Vidal (voc.), Francesca Campabadal Segura (voc.), Gerard Sarrabayrouse (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Microscopia electrónica
    • Física del estado sólido
      • Superficies
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• Resumen

  • La tesis esta dividida en cinco partes. En primer lugar un resumen de la tecnica stm y de los microscopios de barrido con sonda. El capitulo 2 esta dedicado a instrumentacion stm, y especialmente enfocado a la parte electronica i a la adquisicion, visualizacion y tratamiento de datos con ordenador. El capitulo 3 es un conjunto de estudios con stm sobre superficies de si (100) e incluye medidas en ambiente controlado, caracterizacion de la rugosidad de la interficie si-si02 de obleas sometidas a diversos procesos de oxidacion, modelizacion mis de la union tunel, y reconocimiento de adsorbatos sobre superficies de si passivado. El capitulo 4 presenta la tecnica de modificacion nanometrica de superficies de si (100) pasivado con stm a l'aire y en condiciones normales de operacion. Finalment, hay un apendice en el que se presentan los resultados preliminares en la caracterizacion con stm de sensores de gases formados a partir de diodos schottky pt/gaas.