Influencia de las corrientes de generación-recombinación en la conmutación del dispositivo MISS

• Autores: J. Millán, Francesc Serra Mestres, Xavier Aymerich Humet
• Localización: III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 111-119
• Idioma: español
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• Resumen

  • El modelo túnel resonante desarrollado recientemente por los autores explica el fenómeno de la conmutación del dispositivo MISS. Sin embargo, para obtener la característica tensión-corriente a partir de las ecuaciones del modelo, es preciso conocer el valor del factor de inyección del dispositivo dependiente de las corrientes de generación-recombinación existentes en la estructura. En este trabajo se obtiene la expresión del factor de inyección efectivo en términos de la corriente y de los parámetros de la estructura.

    Mediante ajuste de dos parámetros de la estructura, el modelo explica la característica tensión-corriente experimental.