Formalismos fisicos para la microscopia de efecto tunel. Aplicacion de un stm atmosferico en microelectronica: caracterizacion de si y de estructura mos

• Autores: Núria Barniol i Beumala
• Directores de la Tesis: Xavier Aymerich Humet (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1992
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Serra Mestres (presid.), Carlos Domínguez Merino (secret.), Arturo Baro Marine (voc.), Albert Cornet i Calveras (voc.), Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Microscopia electrónica
    • Física del estado sólido
      • Superficies
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• Resumen

  • En esta tesis se ha realizado un estudio teorico sobre los fenomenos fisicos en que se basa la microscopia de efecto tunel. Dentro de este estudio se ha presentado un modelo fisico que tiene en cuenta la tridimensionalidad del fenomeno y que es capaz de dar una resolucion lateral del instrumento coherente con la que se encuentra experimentalmente. A continuacion se han presentado los resultados de la aplicacion del stm atmosferico en microelectronica. Concretamente se han caracterizado muestras de si (100) topografica y espectroscopicamente. Las rugosidades encontradas son de 3-4 a (rms). Las medidas espectroscopicas nos han permitido distinguir el tipo y el nivel de dopaje asi como si la superficie esta oxidada o no. Finalmente se han caracterizado capacidades mos con stm antes y despues de la ruptura dielectrica del oxido de puerta. Las medidas stm permiten diferenciar cuando la capacidad esta rota o no. Estas medidas se han comparado con simulaciones spice obteniendose analogos resultados.