Measurement of the hot carrier damage profile in LDMOS devices stressed at high drain voltage.

• Autores: D. Corso, S. Aurite, E. Sciacca, D. Naso, S. Lombardo, A. Santangelo, M.C. Nicotra, S. Cascino
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 806-809
• Idioma: inglés
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