pág. 782
pág. 788
A. Minami, E. Soda, H. Tsuda, K. Tsujita, W. Wakamiya, N. Kobayashi, T. Nasuno, Y. Matsubara, H. Kobayashi
pág. 796
pág. 804
A Test Structure for Two-Dimensional Analysis of MOSFETs by Hot-Carrier-Induced Photoemission
H. Iwata, T. Ohzone, K. Yamashita, N. Koike, T. Matsuda, H. Takeuchi, A. Muramatsu
pág. 811
RFCV Test Structure Design for a Selected Frequency Range
S. Decoutere, F. Cubaynes, W. Jeamsaksiri, A. Mercha, J. Ramos
pág. 817
pág. 824
Characterization and Modeling of Gate-Induced-Drain-Leakage
F. Agut, M. Minondo, A. Juge, P. Masson, R. Bouchakour, F. Gilibert, D. Rideau, A. Dray
pág. 829
On the High-Frequency Characteristics and Model of Bulk Effect in RF MOSFETs
T. J. Yeh, D. C. W. Kuo, M. T. Yang, Y. J. Wang, P. P. C. Ho
pág. 838
pág. 845
pág. 851
pág. 857
pág. 859
pág. 870
pág. 876
pág. 883
pág. 889
pág. 896
pág. 904
pág. 912
pág. 920
pág. 925
pág. 933
pág. 938
Progress in Photonic Crystal Vertical Cavity Lasers (INVITED)
P. O. Leisher, A. V. Giannopoulos, K. D. Choquette, A. J. Danner, J. J. Raftery, T. Kim
pág. 944
Compact and Low-Power-Consumption 40-Gbit/s, 1.55-mum Electro-Absorption Modulators
K. Shinoda, T. Tsuchiya, Masataka Shirai, M. Aoki, N. Sasada, H. Yamamoto, K. Naoe, H. Arimoto, J. I. Shimizu, T. Kitatani
pág. 951
pág. 960
pág. 967
pág. 973
pág. 981
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados