Gate-Last MISFET Structures and Process for Characterization of High-k and Metal Gate MISFETs

• Autores: Y. Akasaka, K. Hayashi, T. Matsuki, K. Torii, T. Maeda
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 5, 2005, pág. 804
• Idioma: inglés
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