A Test Structure for Two-Dimensional Analysis of MOSFETs by Hot-Carrier-Induced Photoemission

• Autores: H. Iwata, T. Ohzone, K. Yamashita, N. Koike, T. Matsuda, H. Takeuchi, A. Muramatsu
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 5, 2005, pág. 811
• Idioma: inglés
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