Z. Khatir

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  • Analysis of the degradation mechanisms occurring in the topside interconnections of IGBT power devices during power cycling

    N. Dornic, A. Ibrahim, Z. Khatir, S.H. Tran, J.P. Ousten, J. Ewanchuk, S. Mollov

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 462-469

    • Resumen
    

  • Power cycling issues and challenges of SiC-MOSFET power modules in high temperature conditions

    A. Ibrahim, J.P. Ousten, R. Lallemand, Z. Khatir

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 58, 2016, págs. 204-210

    • Resumen
    • Texto completo
    

  • Characterisation of power modules ceramic substrates for reliability aspects.

    S. Pietranico, S. Pommier, S. Lefebvre, Z. Khatir, S. Bontemps

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1260-1266

    

  • Estimation of SiC JFET temperature during short-circuit operations

    M. Berkani, S. Lefebvre, N. Boughrara, Z. Khatir, J.-C. Faugières, P. Friedrichs, A. Haddouche

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1358-1362

    

  • Degradation behavior of 600 V¿200 A IGBT modules under power cycling and high temperature environment conditions.

    M. Bouarroudj, Z. Khatir, J.P. Ousten, F. Badel, L. Dupont, S. Lefebvre

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1719-1724

    

  • Failure modes on low voltage power MOSFETs under high temperature application.

    L. Dupont, S. Lefebvre, M. Bouaroudj, Z. Khatir, J.C. Faugières

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1767-1772

    

  • Experimental and numerical investigations on delayed short-circuit failure mode of single chip IGBT devices.

    Z. Khatir, S. Lefebvre, F. Saint-Eve

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 422-428

    

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