Periodo de publicación recogido
|
|
|
A 2-D analytical threshold-voltage model for GeOI/GeON MOSFET with high-k gate dielectric
Feng Ji, J.P. Xu, L. Liu, W.M. Tang, P.T. Lai
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 57, 2016, págs. 24-33
H. Lu, J.P. Xu, L. Liu, L.S. Wang, P.T. Lai, W.M. Tang
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 56, 2016, págs. 17-21
L. Liu, J.P. Xu, L.L. Chen, P.T. Lai
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 8, 2009, págs. 912-915
A fringing-capacitance model for deep-submicron MOSFET with high-k gate dielectric.
F. Ji, J.P. Xu, P.T. Lai, J.G. Guan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 5, 2008, págs. 693-697
Effects of Ti content and wet-N2 anneal on Ge MOS capacitors with HfTiO gate dielectric.
C. X. Li, X. Zou, P.T. Lai, J.P. Xu, C.L. Chan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 526-530
Influence of sidewall spacer on threshold voltage of MOSFET with high-k gate dielectric.
J.P. Xu, F. Ji, P.T. Lai, J.G. Guan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 2, 2008, págs. 181-186
A 2D threshold-voltage model for small MOSFET with quantum-mechanical effects.
J.P. Xu, Y.P. Li, P.T. Lai, W.B. Chen, S.G. Xu, J.G. Guan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 1, 2008, págs. 23-28
Gate leakage properties of MOS devices with tri-layer high-k gate dielectric.
W.B. Chen, J.P. Xu, P.T. Lai, Y.P. Li, S.G. Xu
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 6, 2007, págs. 937-943
A threshold-voltage model of SiGe-channel pMOSFET without Si cap layer.
X. Zou, J.P. Xu, C. X. Li, P.T. Lai, W.B. Chen
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 391-394
Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados