Influence of sidewall spacer on threshold voltage of MOSFET with high-k gate dielectric.

• Autores: J.P. Xu, F. Ji, P.T. Lai, J.G. Guan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 2, 2008, págs. 181-186
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)