Periodo de publicación recogido
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Impact of different transistor arrangements on gate variability
A.L. Zimpeck, C. Meinhardt, L. Artola, G. Hubert, Fernanda G. L. Kastensmidt, R.A.L. Reis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 111-115
Analysis of 6 T SRAM cell in sub-45 nm CMOS and FinFET technologies
R.B. Almeida, C.M. Marques, Paulo Francisco Butzen, F.R.G. Silva, R.A.L. Reis, C. Meinhardt
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 196-202
Evaluation of radiation-induced soft error in majority voters designed in 7 nm FinFET technology
Y.Q. de Aguiar, L. Artola, G. Hubert, C. Meinhardt, Fernanda G. L. Kastensmidt, R.A.L. Reis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 660-664
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