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Operational frequency degradation induced trapping in scaled GaN HEMTs
Brendan Ubochi, Soroush Faramehr, Khaled Ahmeda, Petar Igić, Karol Kalna
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 71, 2017, págs. 35-40
Study of statistical variability in nanoscale transistors introduced by LER, RDF and MGG
Guillermo Indalecio, Antonio García Loureiro, M. Aldegunde, Karol Kalna
Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665
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