Periodo de publicación recogido
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Radiation induced transconductance overshoot in the 130 nm partially-depleted SOI MOSFETs
Chao Peng, Yunfei En, Zhengxuan Zhang, Yuan Liu, Zhifeng Lei
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 75, 2017, págs. 135-141
Lei Song, Zhiyuan Hu, Mengying Zhang, Xiaonian Liu, Lihua Dai, Zhengxuan Zhang, Shichan Zou
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 74, 2017, págs. 1-8
Degradation induced by TID radiation and hot-carrier stress in 130-nm short channel PDSOI NMOSFETs
Lihua Dai, Xiaonian Liu, Mengying Zhang, Leqing Zhang, Zhiyuan Hu, Dawei Bi, Zhengxuan Zhang, Shichan Zou
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 74, 2017, págs. 74-80
Hardening silicon-on-insulator nMOSFETs by multiple-step Si+ implantation
Huixiang Huang, YanYang Huang, Jianchun Cheng, Sufen Wei, Kai Tang, Dawei Bi, Zhengxuan Zhang
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 57, 2016, págs. 1-9
Shuang Fan, Bingxu Ning, Zhiyuan Hu, Zhengxuan Zhang, Dawei Bi, Chao Peng, Lei Song, Lihua Dai
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 56, 2016, págs. 1-9
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