Periodo de publicación recogido
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Improvement of SiO2/4H-SiC Interface properties by post-metallization annealing
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, H. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 226-229
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, M. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 248-252
M.S. Hadi, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 42-45
Poly-Si gate electrodes for AlGaN/GaN HEMT with high reliability and low gate leakage current
J. Chen, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 52-55
La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT
J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 60, 2016, págs. 16-19
Characteristics of Arc-Reducing Effect by Capacitor in Commutation Circuit
S. Ueda, K. Kiyose, R. Honbo, Y. Murakami, H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 8, 2006, pág. 1153
Gas Temperature Rise in a High-Pressure Gas Tube by an Adiabatic Compression
H. Wakabayashi
Journal of chemical engineering of Japan: An official publication of the Society of Chemical Engineers, ISSN 0021-9592, Nº. 9, 2006, págs. 987-993
Computational Methods for Surface Relief Gratings Using Electric and Magnetic Flux Expansions
M. Komatsu, H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 12, 2005, pág. 2192
Development of the Lead-Free Carbon Brush Material for Starters
H. Wakabayashi, N. Inayoshi, K. Inukai, T. Shimoyama, N. Morita, R. Honbo, K. Sawa, Y. Murakami
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 8, 2005, pág. 1675
Availability of Resistive Boundary Condition for Thin Metallic Gratings Placed in Conical Mounting
H. Wakabayashi, J. Yamakita, M. Asai
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 9, 2004, pág. 1560
H. Wakabayashi
Radio science, ISSN 0048-6604, Nº. 6, 2003, pág. 8
Uniform Raised-Salicide Technology for High-Performance CMOS Devices
H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 5, 2002, págs. 1104-1110
M. Ishii, K. Sakawa, H. Shimizu, T. Kobayashi, S. Kozono, H. Wakabayashi, J. Yan, H. Masui
IEICE transactions on communications, ISSN 0916-8516, Vol. 84, Nº 9, 2001, págs. 2550-2559
Does Hertzian Contact Area Act as an Effective Zone Generating the Friction Resistance ?
T. Sasada, H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 3, 1998, pág. 326
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