Periodo de publicación recogido
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T. Noto, M. Suzuki, S. Suzuki, T. Hayasaka, T. Takahashi, M. Kokubo, T. Kawamoto, T. Oshima
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 11, 2006, págs. 1682-1687
Formation Mechanism of Dark Bridge between Contacts with Very Slow Opening Speed
Hiroshi Inoue, M. Taniguchi, T. Takagi, H. Ishida, S. Suzuki, H. Sone
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 8, 2006, pág. 1136
A GSM/EDGE Dual-Mode, Triple-Band InGaP HBT MMIC Power Amplifier Module
T. Miura, J. Otsuji, R. Hattori, Y. Miyazaki, T. Shimura, T. Asada, S. Suzuki
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 7, 2005, pág. 1495
Direct Measurement of the Maximum Operating Region in AlGaAs HBTs for RF Power Amplifiers
K. Yamamoto, T. Shimura, R. Hattori, A. Inoue, S. Nakatsuka, S. Suzuki
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 8, 2003, pág. 1451
Development of 5 GHz Permanent Magnet Peniotron
K. Sagae, K. Yokoo, T. Kikunaga, N. Sato, S. Suzuki, K. Endo
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 10, 2000, págs. 1677-1682
A 100 W S-Band AlGaAs/GaAs Heterostructure FET for Base Stations of Wireless Personal Communications
S. Suzuki, H. Kawata, S. Miyakuni, N. Yoshida, S. Sakamoto, T. Fujioka, N. Tanino, S. Goto, K. Fujii, T. Kunii
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 11, 1999, págs. 1936-1942
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