A 100 W S-Band AlGaAs/GaAs Heterostructure FET for Base Stations of Wireless Personal Communications

• Autores: S. Suzuki, H. Kawata, S. Miyakuni, N. Yoshida, S. Sakamoto, T. Fujioka, N. Tanino, S. Goto, K. Fujii, T. Kunii
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 11, 1999, págs. 1936-1942
• Idioma: inglés
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