Periodo de publicación recogido
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A GSM/EDGE Dual-Mode, Triple-Band InGaP HBT MMIC Power Amplifier Module
T. Miura, J. Otsuji, R. Hattori, Y. Miyazaki, T. Shimura, T. Asada, S. Suzuki
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 7, 2005, pág. 1495
Analysis of a Phase Factor of Franz-Keldysh Oscillations in GaAs/AlGaAs Heterostructures
T. Ishikawa, H. Takeuchi, Y. Yamamoto, R. Hattori
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2015
Direct Measurement of the Maximum Operating Region in AlGaAs HBTs for RF Power Amplifiers
K. Yamamoto, T. Shimura, R. Hattori, A. Inoue, S. Nakatsuka, S. Suzuki
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 8, 2003, pág. 1451
Current-Writing Active-Matrix Circuit for Organic Light-Emitting Diode Display Using a-Si: H Thin-Film-Transistors
K. Miyake, Y. He, J. Kanicki, R. Hattori, T. Tsukamizu, R. Tsuchiya
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 5, 2000, págs. 779-782
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