K. Kawamoto

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• Artículos de revistas

  • A 25 kV ESD Proof LDMOSFET with a Turn-on Discharge MOSFET

    S. Fujino, I. Shirakawa, K. Kawamoto, K. Kohno, Y. Higuchi

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 6, 2001, págs. 823-831

    

  • A 200V CMOS SOI IC with Field-Plate Trench Isolation for EL Displays

    S. Fujino, I. Shirakawa, K. Kawamoto, H. Yamaguchi, H. Himi

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 2, 2001, págs. 260-266

    

  • 200 V Rating CMOS Transistor Structure with Intrinsic SOI Substrate

    K. Kawamoto, H. Yamaguchi, S. Akita, H. Himi

    IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 12, 2000, págs. 1961-1967

    

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