P. Yang
Periodo de publicación recogido
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Artículos de revistas
Drain current saturation at high drain voltage due to pinch off instead of velocity saturation in sub-100 nm metal�oxide�semiconductor transistors.
W.S. Lau, P. Yang, J.Z. Chian, V. Ho, C.H. Loh, S.Y. Siah, L. Chan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 1-7
An explanation of the dependence of the effective saturation velocity on gate voltage in sub-0.1 µm metal�oxide�semiconductor transistors by quasi-ballistic transport theory.
W.S. Lau, P. Yang, V. Ho, L.F. Toh, Y. Liu, S.Y. Siah, L. Chan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1641-1648
A study of the linearity between Ion and log Ioff of modern MOS transistors and its application to stress engineering.
W.S. Lau, P. Yang, C.W. Eng, V. Ho, C.H. Loh, S.Y. Siah, D. Vigar, L. Chan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 497-503
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