A study of the linearity between Ion and log Ioff of modern MOS transistors and its application to stress engineering.

• Autores: W.S. Lau, P. Yang, C.W. Eng, V. Ho, C.H. Loh, S.Y. Siah, D. Vigar, L. Chan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 4, 2008, págs. 497-503
• Idioma: inglés
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