InstitucionesAclaración de materia/profesión
Periodo de publicación recogido
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Dulce María Gutiérrez Ramírez, L.M. Gaggero Sager, Salvador Marín Hernández, Celso Joaquín Muñoz Black
Contaduría y administración, ISSN 0186-1042, ISSN-e 2448-8410, Vol. 64, Nº. 4, 2019
O. Oubram, L.M. Gaggero Sager, I. Rodríguez Vargas
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 61, Nº. 5, 2015, págs. 338-343
O. Oubram, L.M. Gaggero Sager, I. Rodríguez Vargas
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 61, Nº. 4, 2015, págs. 281-286
Propiedades de transporte en el transistor "delta"-FET
O. Oubram, L. Cisneros-Villalobos, L.M. Gaggero Sager, M. Abatal
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 60, Nº. 1, 2014, págs. 22-26
Formas funcionales del potencial y la densidad electrónica para grafeno delta dopado
Francisco J. López Rodríguez, L.M. Gaggero Sager
Nova scientia, ISSN-e 2007-0705, Vol. 5, Nº. 10, 2013, págs. 17-26
Formalismo de cálculo de la movilidad de portadores en un pozo cuántico delta dopado (δ -DQW)
H. Rodríguez Coppola, Miguel E. Mora Ramos, L.M. Gaggero Sager
Nova scientia, ISSN-e 2007-0705, Vol. 5, Nº. 10, 2013, págs. 27-50
Radioterapia y el papel del sistema inmunitario
Óscar Sotolongo Grau, Daniel Rodríguez Pérez, José Carlos Antoranz Callejo, L.M. Gaggero Sager, Óscar Sotolongo Costa
Nova scientia, ISSN-e 2007-0705, Vol. 4, Nº. 8, 2012, págs. 13-25
Subband structure comparison between n- and p-type double delta-doped GaAs quantum wells.
I. Rodríguez Vargas, L.M. Gaggero Sager
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 50, Nº. 6, 2004, págs. 614-619
Thomas-Fermi approximation in two p-type delta-doped quantum wells in GaAs and Si
L.M. Gaggero Sager, J.C. M'Peko, R. Pérez Alvarez
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 47, Nº. 2 (ABR), 2001, págs. 153-157
Electronic states in parabolic versus diffused quantum wells
Stoyan J. Vlaev, L.M. Gaggero Sager, D. A. Contreras Solorio, I. Hernández-Calderón
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 44, Nº. Extra 3 (Supl.), 1998, págs. 141-143
A simple model for atomic layer doped field-effect transistor (ALD-FET) electronic states
L.M. Gaggero Sager, Miguel E. Mora Ramos
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 44, Nº. Extra 3 (Supl.), 1998, págs. 165-167
Estructura electrónica de sistemas delta dopados tipo p
L.M. Gaggero Sager, R. Pérez Alvarez
Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 44, Nº. Extra 3 (Supl.), 1998, págs. 168-172
Propiedades electrónicas de sistemas con dopaje deltaico
L.M. Gaggero Sager
Tesis doctoral dirigida por Rolando Pérez Álvarez (dir. tes.), Javier Fernández Velicia (dir. tes.). UNED. Universidad Nacional de Educación a Distancia (1996).
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