A simple model for atomic layer doped field-effect transistor (ALD-FET) electronic states

• Autores: L.M. Gaggero Sager, Miguel E. Mora Ramos
• Localización: Revista Mexicana de Física, ISSN-e 0035-001X, Vol. 44, Nº. Extra 3 (Supl.), 1998, págs. 165-167
• Idioma: español
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