Propiedades electrónicas de sistemas con dopaje deltaico
- Autores: L.M. Gaggero Sager
- Directores de la Tesis: Rolando Pérez Álvarez (dir. tes.), Javier Fernández Velicia (dir. tes.)
- Lectura: En la UNED. Universidad Nacional de Educación a Distancia ( España ) en 1996
- Idioma: español
- Número de páginas: 152
- Tribunal Calificador de la Tesis: Federico García Moliner (presid.), Manuel Yuste Llandres (secret.), Antonio Bernalte Miralles (voc.), José Javier García Sanz (voc.), Víctor Ramón Velasco Rodríguez (voc.)
- Materias:
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- Resumen
LA TESIS PROPORCIONA UNA BUENA HERRAMIENTA DE CALCULO PARA DISEÑAR SISTEMAS ELECTRONICOS CONSTITUIDOS POR UNA MATRIZ DE SEMICONDUCTOR CON UNO DE LOS PLANOS CRISTALOGRAFICOS FUERTEMENTE DOPADO CON UNA IMPUREZA ATOMICA.LOS SISTEMAS ESTUDIADOS SON LOS SIGUIENTES: ARSENIURO DE GALIO CON UNA CAPA ATOMICA DE SILICIO (GAAS: SI-DELTA DOPADO) Y DE BERILIO (GAAS: BE-DELTA DOPADO), SILICIO DOPADO CON UNA CAPA ATOMICA DE BORO (SI: B-DELTA DOPADO) EN FUNCION DE LA TEMPERATURA, Y TRANSITOR DE EFECTO DE CAMPO DOPADO CON UN POZO DELTA (-FET'S). EL PROBLEMA GENERAL QUE SE PLANTEA ES EL DE DETERMINAR LOS NIVELES ENERGETICOS DEL POZO DELTA EN CADA CASO, PARA PODER PREDECIR LAS PROPIEDADES ELECTRONICAS DEL SISTEMA. PARA ELLO SE HACEN DIFERENTES APROXIMACIONES SOBRE EL POTENCIAL DEL MISMO Y SE UTILIZAN DISTINTAS FUNCIONES DE ONDA DE PRUEBA PARA DETERMINAR EL NIVEL DE FERMI Y LOS NIVELES ENERGETICOS DE LOS ELECTRONES (O DE LOS HUECOS) DEL DEFECTO Y SE COMPARAN CON LOS RESULTADOS DE UN CALCULO AUTOCONSISTENTE. LA COMPARACION CON LOS RESULTADOS EXPERIMENTALES QUE APARECEN EN LA LITERATURA BASTANTE BUENA, POR LO QUE LOS RESULTADOS HAN SIDO PUBLICADOS EN LAS REVISTAS ESPECIALIZADAS.
