Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors

• Autores: M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, I. Mejia, M.A. Quevedo-Lopez
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 56, 2016, págs. 29-33
• Idioma: inglés
• Enlaces
  • Texto completo