Two-stage hot-carrier degradation behavior of 0.18 µm 18 V n-type DEMOS and its recovery effect.

• Autores: C. Gao, J. Wang, L. Wang, Andrew Yap, H. Li
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 8-12
• Idioma: inglés
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