Conduction mechanisms of silicon oxide/titanium oxide MOS stack structures.

• Autores: J.C. Tinoco, M. Estrada, Benjamín Iñiguez Nicolau, A. Cerdeira
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 3, 2008, págs. 370-381
• Idioma: inglés
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