págs. 529-535
págs. 536-545
Continuous Wave Operation of InGaN Laser Diodes Fabricated on SiC Substrates
K. Domen, K. Horino, P. Hacke, T. Tanahashi, A. Kuramata, S. I. Kubota, R. Soejima
págs. 546-551
págs. 552-559
págs. 560-563
págs. 564-572
Theoretical Analysis of Optical Transverse-Mode Control on GaN-Based Laser Diodes
T. Ukai, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, Takashi Sato, M. Iwaya, K. Isomura
págs. 573-578
págs. 579-584
págs. 585-590
págs. 591-597
págs. 598-604
Optical Properties of Bound Excitons and Biexcitons in GaN
S. Kurai, T. Taguchi, T. Sugahara, K. Nishino, S. Sakai, Y. Yamada, C. Sasaki, Y. Yoshida
págs. 605-611
págs. 612-614
Crystalline and Optical Properties of ELO GaN by HVPE Using Tungsten Mask
Y. Honda, Y. Iyechika, T. Maeda, F. Bertram, J. Christen, A. Hoffmann, K. Hiramatsu, A. Motogaito, H. Miyake
págs. 620-626
págs. 627-632
One Possibility of Obtaining Bulk GaN: Halide VPE Growth at 1000^oC on GaAs(111) Substrates
págs. 633-638
Developments of GaN Bulk Substrates for GaN Based LEDs and LDs
A. Wakahara, A. Yoshida, S. Kurai, Y. Yamada, T. Taguchi, O. Oda, T. Inoue, Y. Seki
págs. 639-646
págs. 647-651
págs. 652-658
págs. 659-663
págs. 664-667
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