One Possibility of Obtaining Bulk GaN: Halide VPE Growth at 1000^oC on GaAs(111) Substrates

• Autores: F. Hasegawa, M. Minami, T. Suemasu
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 4, 2000, págs. 633-638
• Idioma: inglés
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