Role of Dislocation in InGaN/GaN Quantum Wells Grown on Bulk GaN and Sapphire Substrates

• Autores: T. Sugahara, S. Sakai
• Localización: IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 83, Nº 4, 2000, págs. 598-604
• Idioma: inglés
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