Analisis y diseño de dispositivos semiconductores de potencia en sic
- Autores: Lourdes Pelaz Montes
- Directores de la Tesis: Luis A. Bailón Vega (dir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Valladolid ( España ) en 1995
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Barbolla Sánchez (presid.), Daniel Pardo Collantes (secret.), Juan Enrique Carceller Beltrán (voc.), José Millán Gómez (voc.), Germán González Díaz (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El carburo de silicio posee propiedades (ancho gap, elevado campo de ruptura y conductividad termica alta) que permiten presentarlo como un material adecuado para dispositivos de potencia. Mediante el programa de simulacion de dispositivos medici adaptado para el sic se han simulado algunos dispositivos de este material. Se ha incluido el efecto poole-frenkel para justificar las caracteristicas de los diodos p-n de 6h-sic. Tambien hemos establecido el limite de las corrientes de generacion-recombinacion cuando los tiempos de recombinacion tienden a cero y hemos atribuido el caracter anomalo de los diodos p-n de 3c-sic a la elevada densidad de defectos de este politipo. Asimismo consideramos responsables del comportamiento anomalo de los mosfets de sic a la elevada densidad de estados en la interfase oxido/sic. Hemos puesto de manifiesto que los diodos p-n de sic se muestran convenientes como diodos rapidos para el control de altas corrientes y tensiones. Los transistores vdmos tambien son ventajosos frente a los de si para tensiones elevadas: menor resistencia de conduccion, espaciado optimo entre los pozos-p mas pequeño y aparicion del regimen de cuasi-saturacion para corrientes extremadamente elevadas.
