Juan Barbolla Sánchez

• Artículos de revistas (1)
• Colaboraciones en obras colectivas (5)
• Tesis dirigidas (4)

• Artículos de revistas

  • Medida de las secciones eficaces de captura óptica del paladio en el silicio mediante la técnica de CC-DLOS

    J. Vilanvova, E. Rubio, Juan Barbolla Sánchez

    Anales de física, ISSN 1133-0376, Vol. 89, Nº. 1 (ENE-ABR), 1993, págs. 45-49

    

• Colaboraciones en obras colectivas

  • Variación con la temperatura de la posición interfacial del nivel de Fermi en una estructura MOS: estudio por simulación

    Agustin de Dios Hernández, José Luis Orantes de la Fuente, Helena Castán Lanaspa, Luis A. Bailón Vega, Juan Barbolla Sánchez

    Diseño de circuitos integrados: actas del VI Congreso. Santander, 11/15 de noviembre de 1991, 1991, ISBN 84-87412-61-0, págs. 93-98

    • Resumen
    

  • Caracterización del centro EL2 del GaAs por espectroscopia óptica de la admitancia

    Salvador Dueñas Carazo, E. Rubio, María Blanca Rojo Giménez, Jose Vicente Anton, Luis A. Bailón Vega, Juan Barbolla Sánchez, A. Pérez

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987 / Real Sociedad Española de Física (aut.), 1987, págs. 41-42

    

  • Aplicación de la DLOS a semiconductores compensados

    J. Villanova, Salvador Dueñas Carazo, Agustin de Dios Hernández, Luis A. Bailón Vega, Juan Barbolla Sánchez

    XXI Reunión bienal de la Real Sociedad española de Física: programa, Salamanca 4 al 10 de octubre, 1987 / Real Sociedad Española de Física (aut.), 1987, págs. 53-54

    

  • Respuesta transitoria de una unión asimétrica en baja señal conteniendo un centro profundo: el Ti en el Si Tipo n

    Gaspar Armelles, J.E. Carceller, Joan Ramon Morante i Lleonart, A. Hermes, Juan Barbolla Sánchez, Pedro Cartujo Estebanez

    III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 68-81

    

  • Interpretación de la captura de electrones por efecto multifonón en el nivel B del GaAs

    Joan Ramon Morante i Lleonart, J.E. Carceller, Atilà Herms Berenguer, Gaspar Armelles, Juan Barbolla Sánchez, Pedro Cartujo Estebanez

    III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981, Vol. 2, 1981 (Electrónica), págs. 82-92

    • Resumen
    

• Tesis dirigidas

  • Simulacion del sputtering y de la cristalizacion producidos por bombardeo ionico en silicio

    Luis Alberto Marqués Cuesta

    Tesis doctoral dirigida por Juan Barbolla Sánchez (dir. tes.). Universidad de Valladolid (1996).

    • Resumen
    

  • Caracterizacion electrica de centros dx en algaas

    María Lourdes Enriquez Giraudo

    Tesis doctoral dirigida por Juan Barbolla Sánchez (dir. tes.). Universidad de Valladolid (1995).

    • Resumen
    

  • Simulacion de la implantacion ionica en cristales, incluyendo baja energia y acumulacion de dañado

    Jesús Arias Álvarez

    Tesis doctoral dirigida por Juan Barbolla Sánchez (dir. tes.). Universidad de Valladolid (1995).

    • Resumen
    

  • Caracterizacion en estructuras mos del dañado electrico generado por grabado ionico reactivo

    Helena Castán Lanaspa

    Tesis doctoral dirigida por Juan Barbolla Sánchez (dir. tes.). Universidad de Valladolid (1992).

    • Resumen
    

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