Simulacion bca de la implantacion ionica en materiales semiconductores: mejora de los modelos fisicos y del tiempo de calculo
- Autores: Jesús Manuel Hernández Mangas
- Directores de la Tesis: Luis A. Bailón Vega (dir. tes.), Jesús Arias Álvarez (codir. tes.)
- Lectura: En la Universidad de Valladolid ( España ) en 2000
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Juan Barbolla Sánchez (presid.), Daniel Pardo Collantes (secret.), Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (voc.), Josep Montserrat i Martí (voc.), Germán González Díaz (voc.)
- Materias:
- Enlaces
- Tesis en acceso abierto en: UVADOC
- Resumen
La implantacion ionica es un proceso tecnológico empleado en la fabricación de dispositivos electronicos. En este trabajo hemos desarrollado un simulador de este proceso que utiliza la aproximacion de colisiones binarias(BCA).
Se han mejorado los modelos fisicos existentes hasta el momento tanto para el calculo del frenado nuclear, en el que se hace uso de potenciales interatomica especificos, y universales, como para el cálculo de las perdidas inelasticas de energia para la que se han incorporado un modelo de frenado electronico con un unico parametro ajustable dependiente de la combinacion ian-blanco, y de frenado inelastico electrón-electron.
Se describan las estrategias seguidas para reducir el ruido estadistico en las zonas peor descritos de los perfiles simulados, que junto con la paralelizacion de calculo permiten un considerable chorro de tiempo.
Finalmente se contrasta la predictibilidad de simulador empleando diferentes proyectiles con perfiles experimentales de impurezas obtenidos con la tecnica SIMS.
