Estudi del gravat ionic reactiu en tecnologia microelectronica

• Autores: Enric Cabruja Casas
• Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1990
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Francisco Serra Mestres (presid.), Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (secret.), Juan Barbolla Sánchez (voc.), Joan Bausells Roigé (voc.), Josep Samitier Martí (voc.)
• Materias:
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
      • Dispositivos semiconductores
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• Resumen

  • La etapa de grabado, en tecnologia microelectronica, es una de las mas importantes puesto que de ella depende el resultado final del circuito integrado fabricado. En este trabajo se presenta una alternativa al grabado humedo tradicional; el grabado ionico reactivo, que mediante la ionizacion de un gas a baja presion consigue unos resultados superiores, en todos los aspectos, al grabado tradicional, a saber; mayor grado de integracion, economia de costes y de tiempo y una mayor facilidad de eliminacion de los productos de reaccion con la consiguiente mejora en el apartado de contaminacion de sustratos. Como metodo experimental se ha contemplado el diseño factorial a dos niveles con el cual se han obtenido las funciones respuesta deseadas de acuerdo con las dependencias explicitas de los parametros controlables del sistema experimental. Otro diseño experimental usado ha sido el de las tablas ortogonales, propuesto por taguchi, el cual es una variante del diseño factorial pues concretamente se trata de un diseño factorial fraccionario. El estudio realizado ha consistido en el analisis de la influencia de los distintos parametros controlables de nuestro sistema experimental sobre las respuestas estudiadas en el grabado de polisilicio, oxido de silicio, nitruro de silicio y fotoresina.