Extraccio de propietats fonamentals de tecnologies simox
- Autores: Gonçal Badenes Guía
- Directores de la Tesis: Carles Cané Ballart (dir. tes.)
- Lectura: En la Universitat Autònoma de Barcelona ( España ) en 1993
- Idioma: español
- Tribunal Calificador de la Tesis: Emilio Lora-Tamayo D'Ocón (presid.), Francesca Campabadal Segura (secret.), Juan Barbolla Sánchez (voc.), Josep Calderer Cardona (voc.), Alejandro Pérez Rodríguez (voc.)
- Materias:
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- Resumen
El objetivo de este trabajo es el desarrollo de tecnicas de caracterizacion y de dispositivos de test adecuados para tecnologias cmos fabricadas sobre simox. Se ha puesto especial enfasis en la definicion de las herramientas mas adecuadas para determinar la calidad del producto final. Para ello, ha sido desarrollada una tecnica de caracterizacion basada en medidas de capacitancia que permite la extraccion de propiedades intrinsecas de las estructuras soi como son el grosor del film de silicio y la densidad de estados en la interficie enterrada, ademas de todos los parametros que habitualmente se obtienen en las medidas de capacitancia. Ademas, se presenta la tecnica de charge pumping aplicada a la caracterizacion de estructuras simox, bien sea usando diodos p-i-n con puerta o transistores con cinco terminales. Se muestra un estudio comparativo de los de los resultados obtenidos con distintas geometrias, asi como un ejemplo de la aplicabilidad de esta tecnica a dispositivos con pequeña superficie de puerta. Finalmente, se propone un conjunto minimo de estructuras de test para la caracterizacion completa de una tecnologia simox.
