Silicon quantum dots for electronic and photonic devices

• Autores: Joser Carreras Molins
• Directores de la Tesis: Blas Garrido Fernández (dir. tes.)
• Lectura: En la Universitat de Barcelona ( España ) en 2008
• Idioma: español
• Tribunal Calificador de la Tesis: Joan Ramon Morante Lleonart (presid.), Montserrat Nafria i Maqueda (secret.), Carlos Domínguez Merino (voc.), Charles Hunt (voc.), Salvatore Lombardo (voc.)
• Materias:
  • Física
    • Electrónica
      • Transporte de electrones
  • Ciencias tecnológicas
    • Tecnología electrónica
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• Resumen

  • Los puntos cuánticos de silicio son actualmente motivo de extensiva investigación, tanto a nivel fundamental como aplicada. Su eficiente luminiscencia a temperatura ambiente debida al confinamiento cuántico así como las propiedades de transporte e inyección de carga so dos fenómenos que aun no se entienden en su totalidad. Nuestro trabajo es aprovechas las propiedades ópticas y fotónicas que nos ofrecen las nanoestructuras para construir dispositivos ni tan siquiera imaginables hoy con los materiales y procedimientos actuales. En esta tesis doctoral, se estudian las posibles aplicaciones de los puntos cuánticos de silicio en campos tales como memorias no-volátiles, fenómenos de un único electrón, dispositivos emisores de luz compatibles CMOS basados en nanocristales y, finalmente, su modulación directa. Estos cuatro bloques comparten un requisito fundamental para llegar a ser una realidad; las propiedades de transporte a escala nanométrica deben primero ser entendidas. Sólo entonces podremos utilizar las inmensas posibilidades que os brinda la física de estas estructuras. Después de cuatro capítulos donde se dan los resultados publicados en reconocidas revistas científicas, se presenta en un quinto capítulo un modelo teórico compacto que ha demostrado potencial aplicabilidad en la simulación de los dispositivos tratados en los capítulos precedentes.