El trabajo realizado en esta tesis está dividido en dos bloques claramente diferenciados. En primer lugar se ha llevado a cabo un trabajo de desarrollo, en el que se ha puesto a punto un microscopio de efecto túnel en medio electroquímico (ESTM). Esta tarea de desarrollo se ha centrado básicamente en diseñar e implementar la celda electroquímica y el bipotenciostato del microscopio, así como también un método de caracterización del recubrimiento de las puntas basado en la medida del ruido de corriente y una técnica que permite la adquisición de curvas corriente-tensión mediante el ESTM. En la segunda parte, se ha aplicado el ESTM desarrollado anteriormente al estudio de los cambios topográficos producidos sobre superficies semiconductoras por la acción de diversos electrolitos, pero, especialmente, al estudio de los mecanismos de nano-oxidación de superficies silicio mediante microscopía de sonda local. De este estudio se deduce la existencia de dos regímenes de oxidación local:
a tensiones muestra-punta superiores a la tensión de bandas planas de la estructura muestra-aislante-punta, la oxidación local se produce por una reacción de anodización que se ve intensificada localmente por la acción del campo eléctrico entre la punta y la muestra.
En el otro régimen, la oxidación no puede explicarse mediante una reacción de anodización, sino que se debe a una reacción de oxidación química producida por H2O2 generada localmente en la punta del microscopio.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados